上一篇：AVR单片机硬件电路设计方法详解 —电路图天天读（107）

在校大学生 马上要毕业了 这个毕设就选双管正激吧 哈哈 刚刚好 赶上了这次活动小弟还是学生 没什么经验 还望各位大神多多指教如有雷同不胜荣幸 还望多多包涵

先上原理吧

基本原理

双管正激式PWM DC/DC转换器的主电路如图所示，其变压器的次级电路和单管正激式转换器是一样的，但初级绕组与两个开关管V1和V2串联。开关管V1和V2在PWM脉冲的作用下同时导通或关断。在每个开关管和初级绕组之间，各并联一个续流二极管D3和D4，使得开关管V1和V2关断时。变压器的储能有个一释放回路，经过二极管D3和D4回馈到直流输入电源。所以双管正激式PWM DC/DC转换器是无须另加磁复位措施的。此外，二极管D3和D4还可以起到钳位的作用，将开关管V1和V2承受的电压钳位在输入电压Ui上。

有时候称这种电路为混合式电路。其中，开关管V1和二极管D3组成一个桥臂，开关管V2和二极管D4组成另一个桥臂。

由于电路中的开关管V1和V2是同时导通和同时关断的，变压器是单向磁化，故属于单端电路。其工作原理、波形和计算式都与单管正激式转换器有很多相同和相似之处。

双管正激的显著优点：

1， 关断时，每个开关管仅承受一倍直流输入电压；

2， 关断时，不出现漏感尖峰。

第一个优点，是两个二极管实现钳位，容易理解。

第二个优点，根本原因是：初级绕组同时励磁传输能量以及磁复位，不存在单管正激初级绕组和磁复位绕组不可能完全耦合的情况，等效为初级绕组和磁复位绕组实现了理想的完全耦合，所以无漏感尖峰问题。

学习一下

"2， 关断时，不出现漏感尖峰。"

如果是个在校大学生，能认识到这一层就不错了；如果是一本专业的开关电源书，这个说法就太肤浅了。

如果工作电流很大（如：100A）,即使变压器漏感是零，一定会有明显的关断电压尖峰。 没有做到那么大 最大也就做个10A吧 也就看了看书 然后自己理解的写了一下

主控芯片就用UC2844吧 搜了一下看到别人用的还是挺多的哈 然后就自己试试咯 很多都借鉴了一下（毕竟感觉我自己设计电路 好像不太靠谱）

uc2844是高性能固定频率电流模式控制器。专为离线和直流至直流变换器应用而设计，为设计人员只需最少外部元件就能获得成本效益高的解决方案。该集成电路的特点是，具有振荡器、温度补偿的参考、高增益误差放大器、电流取样比较器和大电流图腾柱输出，是驱动功率MOSFET的理想器件。

电流模式工作达500千赫输出开关频率

输出静区时间从50%至70%可调

自动前馈补偿

锁存脉宽调制，用于逐周期限流

内部微调的参考源，带欠压锁定

大电流图腾柱输出

输入欠压锁定，带滞后

低启动和工作电流

（附上UC2844的中文手册）

UC3844中文版.PDF

然后就是变压器了 看了书上讲的、也看了别人算的，然后结合自己以前算的反激，就自己算了一个。 不是太别准确 但还算能用呢

自己按照总结经验公式计算得：正激电源，输入180-250V交流，输出24V10A。

变压器设计：磁芯：PQ3230 Ae=161平方毫米（刚好就有这个了）

开关频率，设定Fs=50kHz，周期 T=1/Fs=20us,最大占空比 Dmax=0.4,最大导通时间Tonmax=T*Dmax=8us. （比较保守）

假定效率能达到80% （毕竟水平比较低）

1,算初级绕组Np:

Np=Vin*Tonmax/(ΔB*Ae)=250*8/(0.2*161)=62.1Ts

实际按照62匝绕制 最小输入电压按250V算 最小输入电压：180*1.4=252V 就按照250V来计算Vin,单位V; Tonmax,单位us; ΔB,单位T,特斯拉; Ae,单位平方毫米.双管正激按照ΔB=0.2计算（问了一下 就按0.2来吧）

2,次级绕组电压：24+0.7+0.6=25.3V

次级匝数的计算：Ns*Vinmin*Dmax=（Vo+Vd）*（1-Dmax）*Np=9.4Ts（用每匝伏数再算了一下，最好觉决定先绕个9圈的吧 试试哈）

3,初级每匝伏数： Ui/62.1=250/62.1=4.026

计算反馈绕组：N反馈=16/4.026=3.974Ts 实际绕制6匝（多绕两圈 万一小了呢 大了不怎么怕）

然后就是线经的计算了：

前端电流的算法看了好几种算的方法呢 感觉有算的有点夸张呢（可能是自己理解的不够到位吧）不管了 按照自己的先试试再说

240W的电源80%的效率 实际的输入的功率为240/0.8=300W

初级的电流为300W/250V=1.2A（先就这么简单的来吧）

然后进行前辈说的各种计算，网上的各种计算，（就不写了 敲不上去麻烦的）

最后得：

初级62匝 0.31的线 3股并绕

次级9匝 0.21的线 11股并绕

反馈6匝 0.21的线 2股并绕

（只有这两种适合的线了 就拿着两种算了吧）

然后就自己先焊着试试吧 测的差不多了就再说咯

这两天有点忙 电路还碰到了一些问题 驱动变压器后面的波形发现不是很好 之前有做仿真 仿真效果还不错 就是实际测试有点问题 初步估计可能是电流不够吧

感觉Q1 3904的电流不够吧 导致后面的波形就有问题了 现在努力解决问题中。

刚刚开始调试的时候以为是驱动变压的问题，所以就换了好几种驱动变压器，但是换了好几个，问题还是没有解决，波形也不是特别好，后来查了些资料，问了问高手，最后认为问题出在Q1的能力上了，完了换个电流大一点的试试。

推荐1.高端MOS和低端MOS全部使用驱动变压器驱动，这样的好处是避免传送延时的问题，可以提高驱动对称性，

2.然后驱动变压器可以使用正激的驱动方式，不使用用隔直流电容，(占空比不能超过50%)，避免了占空比变化的时候驱动信号会飘的问题

请问一下双管正激电源，开环测试带载之后输出电压拉的特别低，上端mos总烧坏是为什么？

换成高低两路都用驱动变压器

请问D5二极管作用？有什么好处？

还是有些畸变 刚刚开始的时候畸变的不能用 改了一下还算好点

再上张PCB 你做的双管正激频率多少呢 仪器显示51K 对吗 新手中的新手看PCB 看完整贴，理论讲的蛮好，PCB有待提高， 画PCB要多看，就是多看别人高手画的板子， 还有就是双管正激的驱动你可以参考我这个 经过多次验证，还不错。 受教了 会虚心向大神请教 你的那个帖子我看了好几遍也学到了不少的东西 看到了自己的不足 以后会多多学习

不知道你现在板子调得怎么样了