上一篇：AVR单片机硬件电路设计方法详解 —电路图天天读（107）

各位好，我最近有做个双管正激电路，现在出现了问题，请大侠指点迷津。感激不尽。现把情况一一道来：

首先是定做变压器，0参数如下图：

请别人设计的变压器，给我的工程图如下：

这个变压器害惨我了，我调试了好久，现在用外接辅助电源给IC供电电源，辅助绕组开路，当输入为350V的时候，发现当6-7绕组为5V的时候，8-9绕组为29.4V，并且开关管的GS脉宽很窄，不能够保证每个周期都可以导通。

反馈回路我个人觉得没问题，因为我的输入电压从250调节到500V，5V电压可以稳住，随着电压升高GS导通脉宽的周期间隔变长。

本来，4-5,8-9绕组应为15V的，并且在350电压下，脉宽不应该那么窄啊。我现在怀疑是变压器设计问题，但是不确定，请能人帮忙指点下，有何不明之处，请提出，我马上补上。

可参考此帖

【设计大赛】高电压输入，小功率电源

这个反激方案我们这里有专人在做，可能是元件选择上的问题，当输入电压大于700V时，1200V的IGBT烧毁，还在调试中。

我这里需要做的是双管正激实验。还希望能帮忙看看是不是变压器除了问题？我粗算了下，似乎主线圈和5V线圈的匝数比不够，是不是应该增加主回路线圈的匝数？我不太确定，还请帮忙确认下！

输出8W,50K的频率，用EE13磁芯，可能不够吧。还有，楼主你设计开关电源，变压器难道不是自己设计吗？哪怕不是自己动手绕，至少自己得算个参数吧

对变压器设计没有经验啊，所以才找别人设计的。但是现在感觉似乎有问题。

楼主这个EE13是加宽的，50K，8W是够用的 宽电压输入，正激方式基本上没有成功的可能，白忙活。

楼主：你的15V饶组是49T吧（主饶组），初级为121*2=242T，这样在200V时候，你的开关占空比大约在0.28（Dmax)，如果在DCM并有20%的死区时间，ton-max=4.48us;在1000V的时候，占空比大约在0.074，ton=1.2us。

看下是不是变压器资料搞错了

楼主：

你把电压控制环路设计在哪个绕组的

把后面的图上全了