上一篇：继分立元件LLC控制器后，再谈变压器设计，再三重申，喷子绕道。本人依照昂宝反激变压器的设计步骤进行设计了一款60W反激电源，遇到问题，请高手指点！

是不是公式不对啊

我看了许多次呀，不知道哪里错了？

气隙算法相乘的变成了相加，单位也不对，算出来会在0.36左右?Bmax值基本正常。 他是写成加号了但是计算结果是这样的！！

OB那个样板就是有问题的，你自己算下，怎么会等于他自己里面的0.42mm，根本就不等于！！实际操作中我们是垫气息直到感量到计算值，然后计算下垫的胶带的厚度，实在不行变压器厂商会跟你磨气隙，然后告诉你这样是否可以生产！！

哪里借了呀，还请指点？ 可以根据实际波形调试变压器的，计算的只是个大概的 根据电感量大小来调节气隙。

俺滴疑问点是整个过程,不只针对Lg,Bmax也感觉不对呢.

参考其他方法算一下

反激式变压器设计

怎么要算那么步骤啊

计算能量处理能量W =（38*0.0001*9.9225）/2=0.000189-J这个是不是算错了啊应该是0.00189-J吧

很显然昂包的计算公式（4.8 计算变压器初级、次级匝数）有问题 ~ 相信昂包这个设计步骤是很早期的资料了，现在他们肯定不这么算了。不过作为国内一流的电源 IC 生产商，如此的表现还是让人非常失望。如果给国外的业内同行看到，中国工程师真是颜面无存了 ~

我在對岸看昂宝 這種沒有謹慎的態度不意外

只會低價搶案子 IC 先上了再說 出了問題再說

这是没有外国个吧，嘿嘿！可我们这新手怎么上道呀，网上公式可多了，估计比这个更要糟糕.高手能发一个吗? 错在哪里呢,许多其他公式也是这样的呀?看不出来 ,还请指教

我们要计算的初级圈数 N_p，是在负载最大的情况下磁芯不饱和时的最小圈数。因为圈数越多，磁芯就越不易饱和、越安全（但是铜线会增加）。 计算公式如下，其中 Ip是电感上的最大电流，Bm是最大磁通密度。电流和电感值越大则电感（或变压器）上储存的能量越多，就越容易饱和。而圈数越多，或是磁芯（Ae）越大则越不易饱和。其物理意义很清楚 ~

昂包下面的公式中 V_inx t_on= L_px ∆I_p 其中∆I_{p 是}t_{on 时间内的电流变化值，CCM模式下，}∆I_{p并非电流最大值Ip。此处的Bm 应该是变化的磁通密度（而非最大值），由此计算出的圈数}N_p 其物理意义不清 ~ 不知道该算是什么。 而这个 Bm的取值（1600）也根据不足，有凑数的嫌疑 ~

你说的有道理。不过请问，在12W实例设计中，说到铁氧体磁芯Bsat=3900G，取Bm=1600G， 在实际中也见到不少设计者选为1500、1600、2000、2200等吧，这是经验值还是设计时实际考虑的不同呀？

铁氧体磁芯Bsat=3900G， 但通常大家不会用到3900这么高。一般来讲可以用到3000或再高点。考虑到磁芯的损耗（随着磁通密度指数上升），大家通常会选2000-2500之间。这样磁损比较小。可参看下面TDK的PC40材料的磁芯损耗特性。这里讲的是Bmax，不是昂包公式中的Bm。

还有，你给出的公式正确，CCM时deltaI并非最大值，也对，就实际中，怎么有那么我人算NP时还是有4.8处的公式呢？不解

确实有人像昂包那么计算。有些电源书、还有一些大公司的AN在讲CCM计算的时候也说的不是很清楚 ~ 你可以参考 Fairchild 的 AN中的公式

翻译下！！ 地DCM断续 或者BCM临界下 ob的计算公式一样，但在ccm下OB的ipk就应小些了 应加入kp计算 其它一样

正解~

昂宝中LP和NP的公式是正确的 ，关键在于I_PK是怎么取值的呢？ 还是没看懂，，谁有反击变压器的技术实例，手稿也可以麻烦共享一下谢谢！