24v 4A容易炸机原因求解
表现30%以上会出现上220v就烧保险丝、整流桥、20NM60， 甚至IC。 测量变压器副线圈41uh，麻烦各位分析仪一下
另外请教20n60与20n60c3是否通用？原理图已经变压器资料如下。图纸上R1标示错误适应是0.3R，2w的
---2016-12-23日更正了正确的上图变压器的图。-
把实际使用20n60更换为原理图上的20n60c3，c6 c8 变小。试了9个，9个都没在炸机。
谢谢各位。
你這電路是錯的吧?這樣的電路不會動, MOSFET不會動也不會炸, 因為都沒接高壓... 表现30%以上会出现上220v就烧保险丝、整流桥、20NM60， 甚至IC 图画错了，可能是笔误。
看一下驱动波形，CR6842驱动能力有限，要选GS电容小些的MOS（比如7N60、10N60等）。20n60c3的Cgs和Rsdon比20n60小，一般情况下可以代用。另外，输出整流管耐压100v，建议加大到150-200v。
整流管STPS41H100CT ，基本没出现过烧坏的情况。好吧, 就當你電路是對的, 以下幾個問題你修正一下
1). 由431分壓電組算出你的電壓應該是24V ( 2.5 * (1+20K/2.32K) ,如果8.9 - 10.11是主輸出, 那4-3是輔助, 那電壓太高了, 而你的24V用6T, 佔空比太大
24V, 你圈數至少要15T以上, 為何炸機在30%以上, 是因為這顆IC有Burst Model, 你負載拉到近30%時頻率開始往上, 但你佔空比太大, ON周期太大使
MOSFET瞬間爆管....
2). 這顆IC有Jitter(跳頻)功能, 使用這種IC常會讓工程師在回授不穩當正常, 因為波形一直抖, 你光藕串電阻750R太小了且未並聯電組, 補償用一顆104電容
真的穩定麼?
3). C8用到104與光藕電晶體並聯, 速度太慢, 且C6用到2200P太大了, 這種出問題都來不及回授, 都需要換小.....
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所以你的問題在於變壓器需改參數,佔空比太大了, 回路阻值容值須再檢討一下, 測試有跳頻功能IC方式:
將示波器時基(time base)固定於中間, 觸發位準鎖住一個波形讓他固定, 此時你會發現有一個完整週期波形固定. 而兩邊一直晃, 這就是補償穩的。。
若觸發位準怎鎖都鎖不住, 那就是發散不穩了......
另外忘記提醒你, 當你把ON Time 週期縮下來後, 你那整流二極體就無法使用100V, 以正常低壓段開到45%來預估, 24V整流至少要150V蕭特基
因為ON Time 越寬, 電壓高度越低, ON time 越窄, 電壓高度越高, 兩者面積是不變的, 所以二極體耐壓要改, 不要到時又跑來問.......
继续请教一下。因为变压器、元件、电路板有很多。c6 c8更换是小事。 该如何修改做。才能降低损失。 这个电路板元件是12v和24v通用。 变压器稍有不同。我相信是共版, 因為從你貼出那變壓器應該是12V用的, 只是你把它改為24V才會如此, 因此變壓器當你使用24V時, 同功率把副邊圈數加一倍, AUX 不用變
但是補償要重新調整, 因為12V與24V 圈數不同後, 脫離Burst Model 區間負載會不同,進入正常模式時, Jitter 開始晃動, 是不是穩態?......不知道, 所以光耦部分電阻需要調整與那一顆104都需要改變,所以你是共板, 但兩套不同的BOM..........
12V时候也是这个情况，砸机1；MOS管是不是画错了，D与S极反了
2；24V的圈比大概是3~4，你的圈比是9？
3；看一下变压器有没有饱和
mos 原理图上是反了。 pcb 没反。帮你整理一下.
变压器和原理图对不上号....
PQ2625变压器----
变压器初级54匝,电感量760uH,次级6匝,辅助供电8匝-?
这是12V的变压器吧?
可是原理图算出来是24V的输出电压啊..
是不是24V装了12V的变压器呢?
我已经晕了,先休息一会
12V也会砸机 我用一个可调电阻调整输出电压，12V变压器用10K，24V变压器用3K电阻。但是不管12还是24都容易烧，pcb实物，在这个原理图上修改了，增加一些c y电容，地线。明天上pcb图给大家。 一开始你看的图确实是12v变压器的， 现在已经更改为24v的了图。 已经被添加到社区经典图库喽http://www.dianyuan.com/bbs/classic/ 恭喜你完成，但.. 你闸极是否还是用100R, 20n60c3是coolMOS, 用100R浪费了，改47R效率㑹高点.......