电路中mos管是怎么工作的
这是一个适配器供电时给电池充电和系统供电，适配器拔掉时给电池切换到给系统供电，但是图中mos管是怎么导通的
集成块驱动的白。 P-MOS，開通的時候23pin被拉到地 您仔细看一下，D和S的位置，pmos的话S进D出啊，现在是电池一端接D，输出接S了失去开关的作用了，直接从内部二极管导通了，1. 二极体可供电流很小，如果系统端的消耗只从二极体上供电，MOS会死掉
2. 正常情况下，系统端电压高于bat上电压，此时此MOS gate为高电平，MOS中二极体也不会导通。当切换到bat供电时，系统端SYS电压会降低，（切换中系统电流供应为二极体电流）同时batdrv为low，把P-MOS完全打开。
个人理解是这样的e
现在是电池一端接D，输出接S了失去开关的作用了，电池供电时，batdrv为low，PMOS怎么打开啊，只有s接电池，D输出才可以啊
开关作用没失去啊，sys端电压高的时候batdrv是为high，这个时候MOS是截止的，而且二极体是不导通。
当sys供电切刀bat上时，由于IC 24pin变成high了，所以acfet不导通，sys端电压降低，假设降低到一定的程度（约bat-0.7V左右），batfet本身的寄生二极体开始导通，故sys端电压不会低于bat-0.7V。bat电通过batfet的寄生二极体流过去，但是MOS本身的寄生二极体耐电流很差，不能通过大电流。
当batdrv为low即0V时，则P-MOS batfet的GS电压约为-（bat-0.7V），这个电压可以使batfet导通的。
PS：MOS寄生二极体是MOS工艺导致，这个没办法消除，但是它不是用来走电流的。
亲啊，电池端的mos管可以导通，但是导通时都是从S到D啊，不可能从D到S啊
MOS的导通条件是GS压差超过Vgs（th），导通以后电流方向就没有什么限制啊，导通以后电流是走沟道的，没有方向的。你看switching线路的HS N-MOS，就是从D到S啊
NMOS是从D流向S的，PMOS是从S流向D的，不能倒着啊我看到你在Ti上也問了，麻煩幫我咨詢個問題：如果是bat供電，怎麼避免後端sys出現低阻抗或者short出現燒毀batfet？
感覺的話後端沒有什麼電流偵測啊
后面串一个自恢复保险就可以，对了咱这有12v锂电池充电的方案吗，适配器拔掉时电池自动切换供电
已经帮你问了，等待TI回复
你好，用mcu控制的话由相关的例程吗，还有就是
如果是bat供電，怎麼避免後端sys出現低阻抗或者short出現燒毀batfet？
感覺的話後端沒有什麼電流偵測啊
这是TI的回答
至于提到后端短路等问题，当然是设计时注意必要的诸如保护电路不可少，但同时所用的电芯，器件本身的质量必须注意，因为若是电芯，器件的本身的短路失效等，那什么设计也救不了了！
哇勒..竟然沒看到這一帖...
上面電路沒有辦法對電池作保護, 所以你必須確認你所使用電池類型, 額外設計保護電路..
1). 鋰電池如果是Poly型,必須用保護IC搭配MOS從地端切斷來做保護, 18650則因為電池芯正端有彈片, 當短路過熱
後, 內部彈片會自動彈開, 但是這時電池就只能丟了, 因為那彈片是無法回復的, 所以電池等於斷路, 所以就鋰電只 能用保護IC, 不要用自恢復保險絲, 因為保險絲還沒斷開之前, 鋰電就先爆炸了, 裝也沒用..
2), 鉛酸或鎳鎘, 鎳氫, 可以用自恢復保險絲, 但是鎳鎘或鎳氫還好, 鉛酸電池若容量不是很大, 在自恢復保險司溫度
還沒到達斷開點時, 鉛酸電壓會一直往下降, 當電壓低於10點多伏時, 保險司還未斷開, 那鉛酸電池就毀了....
參考看看吧.....
目前锂离子电池没有外接保护电路，就用电池自带的保护板認知不對, 當Adapter 斷開後, BAT通過內部二極體從D-S提供一個電位, 所以當G為LOW時, S-G產生壓差
MOSFET把二極體短路, 且電壓還會透過VT2回灌給IC供電,就這樣囉...........
NMOS是从D流向S的，PMOS是从S流向D的，是我理解有错吗， 理解有误，这样就可以了 导通后是双向的，既可以从s到d，也可以以从d到s。 mos管后面的两个二极管是干啥用的 你问的vd4hevd5吗，那是栅极保护，防止栅极超过极限电压而击穿损坏。NMOS是導通才是D流向S, 不導通是藉由內部二極體由S流向D
PMOS是導通才是S流向D, 不導通是藉由內部二極體由D流向S
所以你看一下你的電路, 再看一下電流流向, 記住, MOSFET內部一定有一顆二極體, 要不然是沒有D或S極, 除非是JFET......
版主我都晕了，有的说，pmos只要导通了就不分DS了，那个极电压低就往那流 看来首长对mos管很陌生啊，找几个自己试一下就全清楚了。实践出真知。呵呵，以前用的mos管都是D到S的，没有去深入了解，平时就选择导通内阻，电流和耐压，有时会考虑Qg对开关速度的影响
任何MOSFET導通都不分D或S, 只有在關閉時才分D或S, 所以在關閉時就用內部二極體做電流方向分D或S
假設你極性讓二極體在MOS關閉時二極體為順向, 那麼MOS導通只是短路二極體
假設你極性讓二極體在MOS關閉時二極體為逆向, 那麼MOS導通就是一個開關...
谢谢您的回答，我以前一直以为PMOS都是D到S呢，在工作中也是D到S啊，没有S到D这样用过，那图中的mos管后面有两个二极管是为了防止SG电压高击穿吗不是, MOSFET內部的二極體只是為了區別極性, 那稱為" 寄生二極體" 若小Rating的MOS, 二極體可藉由長晶過程,
直接由die長出來, 若大功率MOS則大多外加, 也就是內部一個MOS的Die, 再一個二極體的Die, 用接線打在一起, 二極體都是快速二極體, 且耐壓與MOS耐壓相同.......
所以記住, MOS的製作過程, 一開始沒有分D極或S極, 只有控制閘與通道的區別, 一但加了二極體, 就以二極體的極
性來區分D或是S, 那個二極體主要就是要讓G與S有一個明確電位, 才不會D-S不分......
图中画的是内部二极管吗，我还以为外部接的两个二极管 你俩根本没在一个频道上，原谅我有多嘴了。VD4與VD5是當MOSFET Low 時, 將VGS電壓箝位在,+/-(VZ+Vf)=17V+0.7V之間,
MOSFET本身的二極體在電路上不會顯現, 所以設計上你知道就好, 分析也是以這樣分析..
您说的对，我以前说的是两个二极管是为了保护GS不被击穿，应该也可以这样理解，