上一篇：求帮助：H桥驱动磁耦合谐振线圈

如图，R2代表800W直流有刷电机（我知道电机是感性负载，这里只是用R2代表）。260V是220V市电使用全桥整流得到的。

PWM是STM32管脚输出高电平3.3V左右，MOS管是IRF740。

测试发现3.3V达不到MOS管开启条件。所以用Q3、Q1升下压。

没有加图腾柱（Q2、Q5）时不能调节电机，结果导致MOS管G、S击穿短路，现在我想改成上图，不知道可以吗（先不说加续流二极管的事）？

5V就想驱动MOS 能不烧吗?

还记得三极管的工作区的概念吗。场管也有它的输入输出特性，下图供参考。

你好，

开启电压是指第一个图的V GS(th)对吗？可是我直接将3.3V加到GS上时DS两极并没有导通，经过测量大概要3.5V左右，所以我整了个电路将3.3V的电平转换成5V左右。忘了要小于4V。谢谢指正。请问电路中还有其他不对的地方吗？

对应的不是250微安吗。

Q2集电极的5V改为12~15V再搞其它的！正如上楼据说5V不能足够驱动MOS。

顶，强烈同意军长说法。 按照你的指导，现在是又出现问题了，当电机电源接上时，MOS管还是好的，一用PWM驱动，MOS管就GS极击穿了，请问怎样解决呢？我在G极加稳压管SMBJ15CA也不行 电机要加吸收电路

MOS怎么用都不了解 哪能冒然行事！驱动用12V 最低也要8V才不发热。

不加二极管你牛逼啊，这个问题一般人都不敢想，你能想到的前人已经实现无数次了，你还是老老实实利用前人的成果