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做了个全桥来驱动谐振线圈。谐振频率约450K-500K之间。接收线圈连接的是一个24v/25w的白炽灯。在谐振时，灯上电压峰峰值能到达48V左右。

芯片IR2184输出的HO与LO，自带400nS死区。

电路如下：

两块IR2184输入是一对反向的方波。

测得一个臂上的MOS管栅极如下图所示：

黄色为上管栅极电压波形，蓝色为下管栅极波形。MOS管发热非常严重。主要的问题就是，1，上管关断时刻，管不断，从左到右第一个红框部分，会随着频率变化，当频率远离谐振频率时，会正常关断；也随发射线圈和接收线圈的距离变化。2，第二个红框，在死区时间处，当上下两个MOS同时关断时，测得会有个一脉冲，我这里采用D2和D4这种接法，延长下管关断时间，勉强削弱这个脉冲，但是依上图，死区同样有上下两个管子同时导通的情况。

当H桥输出接一个16Ω电阻时，波形如下：

求各位老师，帮帮忙。

这些问题相当复杂，不是几个页面就能讲清楚的

你不能为了得到好看的波形，就延长关断时间，把D２D４反接

ir2184驱动能力比较弱，不适合这么500K这么高的频率

问题1的上管其实是关断的，你看到的波形关断时仍有电压，其实是下管的下降过大引起的，不是上管关断不完全的原因

问题2，全桥工作时的干扰非常大，同时关断时候的干扰脉冲允许存在，如果完全消除掉，会降低死区时间，有直通现象，要有个权衡考虑

谢谢了。如果我正常接D2 和D4，那么死区那里，从波形上看，是有一个电压信号的。似乎，上下两个管子同时关断，VS的电位就说不清楚，负载串联的电容加电感，如果表现感性，这里VS就会有一个电压存在。我这里没有再GS之间加稳压二极管，加了是否有所改善。现在MOS管发热非常厉害，这个mos管用的是IRF840，昨天测试的时候就烧掉了两个。请问，有什么好的解决方案，来驱动后面的谐振线圈，当然频率要高一些。在此感谢了。 已经被添加到社区经典图库喽
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