上一篇：x86构架的SoC及STPC的一种应用design and application guide for high speed mosfet gate drive circuits.pdf
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Vin=-3.6V-45V

Vout=3.3V/5V/ADJ

Iout=2A

工作频率:150KHZ

保护功能:短路保护、过流保护、过温保护

如有需要可以联系本人 周生:13510266554 QQ:358822321 Mail:zhouqiaoju85@163.com 感谢! 这文章中有一句
Therefore,
the fastest switching action is determined by the
reverse recovery characteristic of the diode, not
by the strength of the gate drive circuit.

好好利用这句,能在buck 或 boost 同步整流电路中提高不少效率. 能不能解释一下这句话的意思以及应用呢?我一直对这句话表示怀疑! 在buck电路中,用mosfet做开关.
下开关(FREEWHEELING)关断后,电流通过BODY DIODE续流,节存储电荷较多(与续流的电流大小,时间有关).当上开关导通时,下开关的存储电荷需要长时间的复合,产生大的reverse recovery loss.这个损耗占很大比重.
同理,可分析boost 电路. 我在同步整流的BUCK变换器中发现下管的振铃比上管大的多,是不是就是这个原因那?并且这个振铃的大小和体二极管的反向恢复时间是成正比的? 前沿下管的振铃才是reverse recovery loss.
重要的是测试波形是否失真.要点是减少传输线端反射的效应.
如果测试电压不超100V,可自己造BNC测试cable(terminal series 50 ohm=cable 阻抗)测试.
如果,高压用探头,也要尽量减少传输线端反射的效应. 精辟 好东西,谢谢了,顶一下 好东西 ! 好东西 !
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