CDMA基站中低噪声放大电路设计盘点
2020-11-05 09:40:52 点击：
上一篇：射频低噪声放大器电路设计详解标签：智能网关(37)低噪声放大(1)ZigBee(543)
随着移动通信的普及，移动通信设备商之间竞争也更加激烈;各大通信巨头为了抢夺市场，不断提高基站的性能，降低基站的价格;低噪声放大器是基站接收机的第一级，看到低噪声放大器位于接收机的最前端，因此对基站接收机来说，低噪声放大器是十分关键的部件，它直接影响到整个接收链路的信噪比，对提高基站灵敏度有决定性影响。
安捷伦公司的A TF54143 是一种增强型伪高电子迁移率晶体管，不需要负栅极电压，与耗尽型管相比较，可以简化排版而且减少零件数，该晶体管最显着的特http://www.ruishen.net.cn/插件电感器点是低噪声，并具有高增益、高线性度等特性，他特别适用于工作频率范围在450 MHz ～6 GHz 之间的蜂窝/ PCS/WCDMA基站、无线本地环路、固定无线接入和其他高性能应用中的第一阶和第二阶前端低噪声放大器电路中。
1.1 晶体管模型低电感器生产噪声放大器
通常会在源极加电感来增加稳定性，稳定性设计对于任何放大器都是必需的，没有设计成绝对稳定的放大器不能应用到产品中去的;影响低噪声放大器稳定性的因素有很多，其中源极电感是其中之一。
图2未加源极电感的FET 等效原理图
图3 添加源极电感的FET 等效图