上一篇：新手使用硅动力6级能效芯片和苏州东微超级结MOS EMI解决过程大概原理是这样：根据130V时的电压计算分压基准，当电压高于130V后，TL431的阴极到阳极导通，P-MOS的G极电压为零，管子开通；当电压低于130V时，TL431的阴极到阳极截止，P-MOS的G极电压为分压所得的11V左右，然后管子截止。困惑一：TL431在这种环境中是否可以长时间工作？困惑二：该电路方案是否可行，有没有BUG存在？请大神不吝赐教！

R3上一直有压差，T1截止不了，而且栅极还会过压击穿。 这个电路是在另外一个电路上改的，没经过验证，就先请教一下，怕做出来不能用；自己感觉电路是有点不对劲，看不出具体原因。下面这张是原来的电路图，是用在低压环境的

低压下可以，高压下就不行了。

用检测电路加继电器控制，可能会简单点，还要有个NTC之类的。

MOSFET在这里做高压开关感觉不怎么合适。

是不可以从310V电阻分压取个电位，然后和基准电压通过一个比较器作比较，输出一个电平信号，再通过一个三极管驱动继电器。

你的线路理论上是可行的，但现实是残酷的：TL431耐压不足，MOS管的Vgs耐压也不足，正确的做法检测（最好是带窗口电路的检测）电压，然后控制对地的MOS管关断。这样就不会面临着耐压的问题；要控制正极的话也可以用光耦隔离。不加窗口电路的话有可能会工作在放大状态。容易烧MOS管。

加窗口电路感觉有点复杂了，把PMOS放在地线控制开关确实比较好。

你用PMOS管还是不能正常的工作的，正确是用NMOS，加多一个三极管做反相控制。

根据你的建议我改了一下电路，现在看起来貌似可以了，但是12V供电电路看着有点脆弱；实际上要是在主开关电路之外有一路独立的12V电源的话，实现欠压保护的方法就简单了，可以实用比较器加MOS或者比较器加继电器的方式；但是这样的话，要有一个200VAC~12VDC的电路，成本会增加很多！

要是有独立12V供电的话，这种继电器的方式也应该是可以的。

12V电压是比较好做的，用开关电源做BUCK，整个方案也是很低的价钱。

还有一种方式直接用低功耗的运放来处理，这样供电损耗也低，也比TL431要方便。

好，我自己尝试用运放搭个电路；非常感谢您的耐心指导！ 已经被添加到社区经典图库喽
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