上一篇：IGBT波形问题

一直在用SL的 平面MOS 5N65 做 5V 4.2A的 适配器，温升，效率都可以满足要求。

但2016年，6级能效开始实施，对温升和效率有了新的门槛，如果有COMOS，成本难以接受。 近来有供应商推荐苏州东微的GMOS，主芯片为SP6601 在使用时遇到这些问题。

1>直接替换，不做任何修改，板子不能启动。

2>直接替换，修改MOS驱动电阻，从10R 增加到390R，温升跟平面MOS一样，效率提升0.5%

3>直接替换，修改MOS驱动电阻，从10R 增加到470R，温升跟平面MOS相比下降5度，效率不变。

4>直接替换，驱动电阻选470R，但EMI比之前超出10DB。

5>直接替换，驱动电阻选470R，吸收回路 电容和电阻增大，加深。变压器EMI余量只有2DB。

后面会再发出相关测试图片，第一次发帖。

MOSFET的驱动电阻不要用太大，否则会将MOSFET击穿

原先也是这么认为的，但是，MOSFET厂家说，他们是超级结MOS，结电容比平面MOS小，因此需要把驱动电阻调大。但是调到多少合理，不会有炸机隐患，需要按经验来选择。

比较纠结。。。

直接替换不作任何变更，为何不能启动？ 试下华晶的新一代超结MOS，独家专利技术，可以轻松过EMI　搞雷击性能也会比一般的超结MOS要好，能源转换效率超过百分之九十五。我可以免费提供样品测试。 不能直接替换