上一篇：谁有p6ke150的元件库和封装库啊？

拓扑结构是：全桥MOS管逆变器，隔离变压器输出侧全桥二极管整流器。

开环工作，开关频率大于谐振频率。实验发现在启动后一段时间谐振腔电流震荡的厉害，且幅值也较大。输入电压为直流110V。

波形如下图所示，绿色为电流(10mv表示1A)，紫色为下臂MOS管Vds电压。

高手们，求解惑啊，几天没有进展了。

最近发现MOS管关断，电流从上臂MOS管换到下臂二极管，或者从下臂MOS管换到上臂二极管都会存在导致MOS管Vds有很高的电压尖峰。黄色驱动波形，蓝色Vds电压。

产生的原因有两个，一是严重的环路不稳定造成的，二个是因为没有0电压导通引起的，即占空比大了，必须减小，如驱动电阻大一些，反并一个二极管加速关断，这样的占空比就减小了，如果是3525的就可以非常方便的调了。首先，仔细检查环路，参数加大，走线合理一些，往往都是环路不稳定形成的。

首先非常感谢张大师回复。

张大师您说“环路不稳定”是指我板子走线不好，还是说闭环做的不好。

我工作条件是开环，我观察发现产生电压尖峰的时刻，刚好是MOS管关断的时候。

从这张图可以看到，MOS管关断的时候，谐振电流很大，不像是因为续流不够，导致失去零压开通。途中蓝色是下臂MOS管Vds，绿色为电流，电流流出桥臂为正。

如果没有 实现zvs，mos管驱动上会有米勒平台 把频率提高到300kHz，要好很多。这里我有个疑惑：MOS管关断，电流从MOS换到下臂续流二极管时，上臂Vds产生的震荡是线路寄生电感产生的吗？一般怎么消除？加吸收电路？怎么加？ 能做软启动不。

你的这种情况不是占空比偏大，而是占空比小了一些，只有0,40-0,42左右了，0电压丢了，占空比一定要达到0,45左右，我记得当年不少人抄袭通合采用3846的芯片，不是失败就是不三不四，不知为什么，模仿的电路占空比变小了，原机就是占空比大，好像有陷阱一样，不知道怎么搞的，所以，03年秋我采用了3525的就是这么由来了，占空比可以调整吗。这里也许看样子就是占空比小了，通常494的芯片经常遇到这种情况，没有达到0,45的一概不能用，我遇到的多了，占空比小的一概失去0电压导通，容性导通会产生严重的谐波了，就是这里遇到的情况了。

还有，这里谐波点几乎成了最大电流关断了，你的并联电感小了一些了吧，注意，串联的回路谐振电感，两个，一个并联一个串联叫着LLC多谐振了。

把频率提高到300kHz，要好很多。这里我有个疑惑：MOS管关断，电流从MOS换到下臂续流二极管时，上臂Vds产生的震荡是线路寄生电感产生的吗？一般怎么消除？加吸收电路？怎么加？ 贴图出来分析下。 就是5楼的那张图。蓝色是下臂Vds电压，绿色是电流(方向：流出桥臂为正)

猜测，可能是错的，仅供参考。

频率高了，MOSFET关断了，二极管还未导通，这段时间就是振荡波形的出处。

二极管导通了，电流正常通过了，就不振荡了。

试试一种情况，频率等于谐振点的时候（关断时电流很小，对应二极管反向恢复时间短），看看这个振荡是否还在，或者是小了很多。

或者是VDS之间关闭了，DS之间电压瞬间变高，DS之间的电容充电，所以电流变大，与寄生电感振荡了。

把频率提高到300kHz，要好很多。这里我有个疑惑：MOS管关断，电流从MOS换到下臂续流二极管时，上臂Vds产生的震荡是线路寄生电感产生的吗？一般怎么消除？加吸收电路？怎么加？ 什么，300千赫，那么，采用什么芯片控制的呢，就是适应频率非常高的3825的芯片的占空比只有0,40小了，3525的根本不行了，频率高了占空比低了，LLC的就必须采用高占空比的，其实，老早2001年的通合公司的模仿的为什么都失败了，就是原机的占空比高了，模仿的一概低了，占空比低了就不行了，所以，当年大家感到非常奇怪的，为什么原机占空比高了抄袭模仿的占空比就低了，这个就成了陷阱的了，必须0,45，太高也不行低了也不行的，要刚刚好，就可以形成0电压导通了，占空比低了0电压就丢了，就是这么回事的。 我是采用数字控制，从5楼波形看，并没有丢失ZVS。我怀疑谐振腔电感更MOS输出电容震荡。