单电感电流连续型推挽类拓扑的推衍和特性研究
2019-08-03 07:27:45 点击：
上一篇：一种低功耗ＣＭＯＳ并行双频低噪声放大器
1）I类推挽单元拓扑族50%以上功率不经过变换器，效率略高。
2）III类推挽单元的拓扑族适用于Ubat变化范围较小的场合，IV类推挽单元的拓扑族适用于Ubat变化范围较大的场合，II类推挽单元的拓扑族介于两者之间。
3）Smart类变换器中Q1、Q2的占空比不可能恰好为0.5，其低纹波侧电流存在凹陷。Weinberg类变换器由于变压器漏感的存在，拓扑I-B、I-C的低纹波侧电流存在尖峰，但是拓扑II-B、III-B、IV-B不存在电流尖峰。
4）相比于本文中介绍的几种前人提出的拓扑，本文提出的拓扑II-B、III-B、IV-B结构更为简单，且低纹波电流不含电流尖峰，但是效率略低于拓扑I-B、I-C。