基于ARM高速闪存MCU应对广泛嵌入式需求
2020-11-27 07:32:25 点击：
上一篇：射频无线门禁系统电路设计方案详解 —电路图天天读（114）大功率电感器线与处理器接口，每周期可为ARM内核提供四条32位指令。这使得MCU无需经过等待状态就可直接从闪存上执行指令，从而消除了一般闪存读取时的等待时间。为了解决指令序列的变化，指令和数据的不同处理带来的等待时间，模块内部实现了预取缓冲器、避免数据读/写打乱地址序列的数据旁路和跳转跟踪缓冲器三个功能块的联合工作，并用两组128位宽度的存储器来进行并行访问，消除延时。
存储器加速模块的作用取决于系统时钟的大小。LPC2000系列片上闪存的访问时间为50nS，对于系统时钟不高于20MHZ的应用，在1个周期内就可将闪存的内容读出，此时没必要使用存储器加速模块。时钟频率越高，当直接执行闪存中的代码时，系统性能受影响越大，此时使能存储器加速模块，可以得到接近4倍速度的加速，真正实现零等待高速闪存。由于LPC2000可直接从闪存执行指令，无需引导期间将代码传送到SRAM，这不仅省掉了耗时又耗能的系统启动步骤，还节省了昂贵的SRAM。
对片内闪存的编程可通过几种方法来实现：通过内置的串行JTAG 接口，通过串口进行在系统编程(ISP)，或通过在应用编程(IAP)。
丰富的外部总线接口
LPC22XX系列产品提供了外部存储器接口，其中包含了24条地址线A0~A23，32条数据线D0~D31及相关的总线使能线;其中数据线宽度可选择8位，16位或32位来使用，图3为32数据线宽度和8/16/32位数据线宽度的外部存储器连接示意图http://www.szfpc.net/电感厂家:
图3，32数据线宽度外部存储器接口
LPC22XX提供了4个独立且可同时配置存储器组，每组可有16MB的地址空间，并且可与SRAM、Pseudo-SRAM、FLASH、EPROM、BURST ROM或其他的I/O DEVICE 作适当的连接与存取。