功率Mosfet在高压通电瞬间击穿
2022-03-09 08:59:09 点击：
上一篇：对于通信电源LLC全桥谐振电路中的变压器的原副边电感要如何求，必须要知道哪些量，是否有特定公式
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/ MOSFET没有任何吸收回路，变压器稍微有漏感，就是相当可观的尖峰电压，击穿很正常 请问如何添加吸收电路，在G极接个下地电阻？
电路原理图如上图所示，24V先通电稳定后，直流300V高压接通，通电瞬间偶尔出现STP11NM80击穿的问题，DS导通。
请问如何才能避免这个问题？
另外接通瞬间，STP11NM80栅极的Vgs如下图：
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/ MOSFET没有任何吸收回路，变压器稍微有漏感，就是相当可观的尖峰电压，击穿很正常 请问如何添加吸收电路，在G极接个下地电阻？
那种电路适合这里用？
做吸收是比较复杂的概念，要综合理解，虽然简单用一个电容就能实现，但深究下来，它涉及到的东西很深。有源和无源吸收，有损和无损吸收等等
这三个图都可以，最简单的应用是最后一个，RCD吸收
第二种其实最好，它没有损耗，缓冲电容的功耗其实挺大的，但是直接并电容会带来谐振，要做同步，不然会适得其反。
第一种需要在吸收效果和电阻功耗之间做权衡，功耗相对大
谢谢，我试试看那种效果能达到要求