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射频电子电路设计图集锦TOP8 —电路图天天读(135)

2020-10-13 08:24:44      点击:
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  射频低噪声放大器电路设计详解

  图3(a)所示的单个NMOS器件的宽长比和漏极电流Id都是(b)所示的单个NMOS的两倍,但由于两个NMOS并联,因此(a)和 (b)具有相同的跨导值gm。(c)中的M2是PMOS管,且和(b)中的NMOS管具有相同的宽长比,由于PMOS器件的电子迁移率比NMOS稍低 [2],所以gmc=(gml+gm2)m,即其跨导值略低,而它的输入电容和Cgs近似。由(7)式可知(c)电路结构的噪声系数将略增一点,但是由于电流减小了一半,因此在电源电压一定的情况下能够有效降低电路的功耗,有利于低功耗LNA设计。