图3（a）所示的单个NMOS器件的宽长比和漏极电流Id都是（b）所示的单个NMOS的两倍，但由于两个NMOS并联，因此（a）和 （b）具有相同的跨导值gm。（c）中的M2是PMOS管，且和（b）中的NMOS管具有相同的宽长比，由于PMOS器件的电子迁移率比NMOS稍低 ［2］，所以gmc=（gml+gm2）m，即其跨导值略低，而它的输入电容和Cgs近似。由（7）式可知（c）电路结构的噪声系数将略增一点，但是由于电流减小了一半，因此在电源电压一定的情况下能够有效降低电路的功耗，有利于低功耗LNA设计。

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