半导体基础知识及PN节
我们用图来阐明P—N结的单向导电性能。依照图示方法，将P型区接电池正极，N型区接负极。向右调动电位器，使加到P—N结构端的电压逐颓增高，就会发现：当电压表读数增高时，电流表的读数也随之增大。此时，P—N结的电阻很小，这种接法叫正向联结。 若反过来，把P型区接电池负极，而N型区接正极，这时我们会发现：把电压增高到几十伏，电流的指示只有几个或几十个微安，此时P—N结的电阻很大，反向电流很快就达到饱和不再增加了。这说明电流只能沿着一个方向流过P—N结，这个现象就叫做单向导电。 单向导电现象可以这样来解释；因为在P型区接电池正极而N型区接负极时，外加电压的方向刚好和P—N结势垒电压的方向相反，使薄层Ⅱ带的负电量和薄层I带的正电量减少，因此削弱了P—N结的势垒，于是在正电压的作用下，电子和空穴的扩散又可进行，N型区的电子不断跑到P型区，P型区的空穴也不断跑到N型区，正向电流也就产生了。而且，正向电压加得越高，P—N结势垒削弱得越厉害，扩散也就越容易进行，正向电流也就越大。 当P—N结和电池反向连接时，外加电压起着增强P—N结势垒的作用，使薄层Ⅱ带的负电荷和薄层I带的正电荷增加，扩散更无法进行。这时只有P型区的少数教流子一电子和N型区的少数我流子一空穴，受外加电压作用形成微弱的反向电流。而少数栽流子的数目不多，所以在反向电压只有零点几伏时，反向电流就达到饱和了。 P—N结还有一个十分重耍的特性，即所谓反向击穿电压。当所加反向电压大到一定数值时，P—N结电阻会突然变得很小，反向电流会骤然增大，而且是无限地增大。这种现象叫P—N结的反向击穿。开http://www.szfpc.net/扁平线圈电感始击穿时的电压数值叫反向击穿电压。它直接限制了P—N结用做整流和检波时的工作电压。 总之，一个简单的P—N结具有单向导电的特性，半导体收音机正是利用这一特性来进行整流和检波的。半导体二极管就是根据这一原理制成的。