此帖出自电源技术论坛

模拟电路各部分的值，可以说是匹配出来的。

当电源接反时(VCC与GND颠倒)，PMOS的G极高电平，但是导通条件为Vs>Vg,所以此时MOS管为关断状态，S极高阻态，电流没有回流路径，自然起到保护作用。

至于低损耗，用串联二极管的方式，至少会有0.5V左右的压降，而MOS管导通内阻在mΩ级别，损耗可忽略不计。

这里的低损耗就是利用了MOS管的低导通内阻，压降比二极管低得多，这非常适合电池供电的设备，也适合用于大电流场合。

至于说电路原理，电源反接时，PMOS管是不会导通的，只要其耐压足够即可。

学习了，感谢分享

496952046wjq发表于2017-5-1811:10模拟电路各部分的值，可以说是匹配出来的。

当电源接反时(VCC与GND颠倒)，PMOS的G极高电平，但是导通条件为V...

我对MOS的工作原理理解不够，以前使用时都是S接输入，D接输出，电流从S流向D不知道这样也会导通

chunyang发表于2017-5-1811:46这里的低损耗就是利用了MOS管的低导通内阻，压降比二极管低得多，这非常适合电池供电的设备，也适合用于大...

我对MOS管的导通条件理解不够，刚才又百度了一下，算是明白了谢谢老大

littleshrimp发表于2017-5-1820:57我对MOS的工作原理理解不够，以前使用时都是S接输入，D接输出，电流从S流向D不知道这样也会导通

这就是MOS和三极管的区别，只要达到导通条件，电流可以反向流