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请问如果不考虑成本,这两种防误导通电路各有什么优劣?

2022-04-19 06:57:01      点击:
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这应该是关断加速电路吧,第一个栅极放电速度会快一些。 都不行,都起不到任何防误通作用 已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/ 新手画的图吧,没有防误开通的作用。

在驱动电阻上反并联了一个二极管,当mos关断时,关断电流就会流经二极管Doff,这样mos管gs的电压就为二极管的导通压降,一般为0.7V,远小于mos的门槛电压(一般为2.5V以上),有效地避免了mos的误开通。

在驱动电路上加入了一个开通二极管Don和关断三级管Qoff。当mos关断时,Qoff打开,关断电流就会流经该三极管Qoff,这样mos管gs的电压就被钳位至地电平附近,从而有效地避免了mos的误开通。

这是我在其他地方看来的....感觉说的有些道理....麻烦点拨一下吧

误导通是米勒效应引起的,首先,电路参数性能才至关重要的,否则,如果发生了,一点方法都没有了,这里不过加快了关断时间了,没有保护的作用,首先,环路不稳定才是真正的要害了,如何稳定可靠,这个还是技术层面的,否则无济于事的。

1,二极管压降0.7V,是指在额定电流下,瞬时脉冲大电流下,压降达到5V不是问题

2,三极管那个就不说了,完全起不到你想像的作用

两种方案都要依靠 driver,如果 driver 因故离了线,则干扰就会全部加到功率管的栅极去! 第一图如果三极管的基极对地加一电阻,效果会好些,这两个图,设计的初衷都是降低低电平时候的内阻,使MOS的米勒电容传递的电流被分流,从而防误导通.