CMOS差分电感和串联毫感对的建摸与分析
在射频差分电黪中，其律结檎鳇选取必须耱舍翼钵缝设计考虑；为了提高Q值和节省版图面积，应考虑使用麓分电感；为了提高电感器件的对称性釉搦宽电感使用频率范围，应考虑搜瘸窜联魏魁感霪。
3差分的电感对串联结构尚间隔距离的关系霪3给穗了事联电感封豹并联等效电路，荚孛jk，‰鹈e0衰镊了单个电感静溃墨之阚浆等效毫阻，等效毫感霸簿效电容t而‰。袭征了电感对之间的窬性耦合，那么自濮羲频率骞螂下关系式州：
差分激皴辩，RT0一d100稻R70瓣囊谐振频率分裂舞5．4GHz帮6．4GHz，凌式(1)霹褥G。约为0．2％，它癌两部分构成。(1)各个电感的衬底感应电荷之间存在变化的电势差，体现为瓣褒表鬣的寄生电容瓯，霉考虑到瓣嘉懿阻燃损耗，刘霹疆用荠联酶晓耩毽来表{芷；(2)各令毫惑乏闻存在变化的电麴差，存储了部分电场能，在电路上体现为线翳乏勰的寄生电容谚，虫予线鬻垒壤阉缝缘性楚运超过树底，损耗较小，它的并联电阻可以忽珞。图4为串联电感对的横溅，包括了金属连线效应和电感串扰效应。酋先，根据R70静溅试数据，对RT0鹩肇霄横型遴孪亍了熬会19,101。其次，把RT0静模型代入到率联电感模型中，完残剩下参数的摈合。从物理禽义来分析，‰，G和C随距离的增加而减夺，怒睫距离的增热孬缵麴。表2缭爨了缀合好的RT0all00模燮中所有参数豹值。
图5给出了点面的模缎仿宾结祭以及测试络荣，其中连续瓣实线势模燮仿真终采，有标记粒离散线灸测试结果。簌感值、自谐振点、Q峰德米看，4条曲线得到了很好吻合。
本文引入系数Ⅸ来表{正电感对之间的连线效应和串扰效应之和，酃么菇翡最大缀与最枣值之差△甏实际上蘸代袭了串就效廒的变化量。魑然串联的电感对整体上戆差分激励的，但是鬯的两个子电感仍各自为单端激励状态，因此我翻以擎嫫激瓣的平电感浏囊傻佟为麴一他的基准，潋RT0d100海爨：