上一篇：IGBT波形问题

用IR2110的高端输出驱动一个MOS管，我能在网上查到的MOS管的保护措施如下图：

我认为图中各器件的作用如下：

R1：防止振铃；

R2：关断时吸收Cgs中的电荷；

D1：防止反接（Vg<Vs）；

R3和C：吸收电路，关断时吸收尖峰的能量；

D2：稳压管，防止流过MOS的电流过大而击穿MOS管。

请问

（1）我的理解对吗？

（2）图中的各器件参数怎么选取：电阻（阻值，功率），二极管（功率），电容（容值、耐压值、材质），稳压管（稳压值、功率）；

（3）是否还需要其他的器件对MOS进行保护？

已经被添加到社区经典图库喽
http://www.dianyuan.com/bbs/classic/ MOSFET到地直接增加一个Isense电阻或者电流互感器，通过检测，防止MOSFET过流。

分析得差不多了~~~~

D2：稳压管，防止流过MOS的电流过大而击穿MOS管。 这个真心看不懂,来也整不明白, MOS截止期间电压不是更高吗????? 那只是我猜想的作用，不一定对，您觉得D2的作用是什么？ 如果真正的D2出现，我看就是一压敏电阻或是一箝位器件而己，也只是对电源最高电压作用。 嗯 对的 这个D2我画错了，我看一般这个D2是个肖特基二极管

说说我个人见解，不一定对，大家可以一起分析分析。

R1：R1不宜太大，太大会减弱驱动能力，是驱动波形上升沿变差，但也不宜太小，太小起不到抑制震荡的作用。所以这里存在一个效率和速度的问题，一般可选取几欧姆或几十欧姆。

R2：MOS内部简单的可以等效为电容，对MOS的开通和关断其实就是电容的冲放电，所以这个电阻一般可选取4.7K-10K.

D1个人感觉普通二极管应该就行。

其余坐等大神分析