上一篇：VaST针对SC2400处理器推出虚拟模型

我找到一款MOS管，AO4606:是一种把一个N沟和一个P沟封装在一起的结构形式，电流6A，耐压30V，SO8封装，体积很小，能不能把这个用来做图腾输出，请各位高手发表下自已的看法。

下面是它的PDF文档：

AO4606-N沟P沟对管

老寿师傅，这个我也看过，给钟工讲过，他说这东西的开启电压高了。

可以整个实际试试。

价格很便宜，不到1元钱，我已买了，等东西到了，试一试。

他们的不行，VGSTH太高了：

我们的有一颗P管可以，SOT-23的，VGSTH和三极管差不多。可惜没有参数差不多的N管配对：

RU20P4C

你看这个可以吗？RU205BRU20P4C

寿工都用上这东西做图腾，是不是又准备搞牛机了啊？

用MOS来做，是不是需要将P和N的位置颠倒，因为P需要GS电压4.5V，所以是不是和三极管的不一样啊？

我仿真过，和三极管的接法一样的。
如果是作大功率场管作驱动，还不如用4420，4421之类，如果推IGBT，用3120是不错的选择，供参考。 推H桥用一个HIP40821P就可以了。 IRFD120+IRFD9120再加个EI28之类的做推动你们看可行不？ CMOS不能做图腾吧，毕竟结电容的电难放出来啊，即使P,N沟道合装也存在结电容啊

错图删除

这是个错图。

你这个图，一开机Q1，Q2保证炸 学习了 VCC---Q2(PN)---Q1(PN)---GND

期待寿工的结果！

http://www.eeworld.com.cn/dygl/2011/0912/article_6690.html MOS管做图腾柱输出应该是可行的，一些无锡产的逆变TIG上用的比较多！ 仿真用什么软件 老寿老师 Multisim 10.0 网上有下载的。 图腾的MOS是不是用结型MOS比较好呀 管子到了，这几天抽时间试一下再说。 嗯，看驱动波形给不给力。。。。
我用已经用AP4503做了 NMOS+PMOS

99兄用的AP4503 好象和AO4606差不多的，

我现在有一个问题，MOS管做图腾，倒底哪一种接法好，见下图，你好象用的是“接法二”。

还请各位朋友分析一下，哪种接法更有利？

我今天照“接法一”，对AO4606进行了试验，方波信号是函数信号发生器产生的。

示波器上的 黄色波形是输出信号，蓝色波形是输入信号。

电源电压14V，波形还可以，残留电压也不高，就是输出幅度好象损失比较大，输出要比输入降低1.6V左右。

下图是输入信号参数：

下图是输出信号参数：

下图是上升时的延时：延时很小，不知是否符合做图腾的要求？

下图是下降时的延时：基本同步。

寿老师，不知道接法一如果接容性负载，上升和下降沿是否会受到限制；希望测试一下

C1 C2为mos结电容；当in输入高电平，由于C2容量过大（可以看出短路）C1充电很快完成（自举供电），然后图腾Nmos导通，使C2完全充电；此时C1可以看做一个独立电源，显然C1电压与vcc串联通过in对地电阻及驱动内阻放电，这样的话就对驱动频率有一定的限制性，最起码不适合做很低频率，当然对于数K以上的频率，我想影响应该不大；等待求证...

按接法一，在输出端并6800P电容一个，相当于FQL40N50的结电容，上升时间稍有变长，但不明显，下降沿好象没有变化，我在栅极电阻上并有二极管。频率12.4K.

按接法二，即共D接法，一上电，电流有100MA，波形也不好，稍过一会，AO4606就烧毁。换一片，又牺牲。

按接法二实验，烧片；应该是两mos同时导通了，输入端接上拉电阻，给结电容一个放电回路。还有当输入信号高电位低于VCC 4V 以上NP mos就应该是同时导通的

那么，旅长，好象按接法二，电路要复杂一些，安全性也让人担心，依旅长之见，这二种接法，在频率在20-30K时，哪种接法好一些？

当然我还是看好接法二，从寿老师测试的来看，接法一工作在20K应该是没有问题的；

下面是接法二补充图，辅助电路比较多（个人设计，没有经过测试，请慎重使用）

推挽工作时，需要两个上面的驱动电路；inA,inb接PWM1；inB,ina接PWM2；在没有加入Q9时，推挽主mos间死区及下降沿会受到影响；

不敢恭维！

好巧，这款示波器和我这里的一模一样

这样好不好一点

两个N、P管会不会直通呢？

对N型，要到2V（假设Vgs=2V）左右才彻底关断，比如Vin跌到10V时，N型还在导通，P型Vgs=10-12=-2V，Vds=0-12=-12V，P型立即导通；两个管子共通时间是从Vin=10到Vin=2V的跌落期间；不知理解对否？

寿老师，我想实验一下这个MOS管图腾柱的效果，就用了第一种接法测试了一下。结果发现输出电压的电平不合适，低电平时有2~3V，高电平时比+12V减小了2~3V，MOS的驱动电压只有2~3V。我考虑了一下这种接法，in为高电平时，上管导通，可是导通后out为高电平，那么GS之间的电压不就变得很低了吗？所以MOS管无法饱和导通，导致管压降很大，不知道您是怎么处理的，能得到合理的实验波形？

非常希望您能给我指导，谢谢。

接法二,要注意MOS的驱动电阻的大小.

这样不是很好么？场效管一样可以做图腾

这图你试过吗？ 依我的想法，还是接法一，稳妥一点，性能也不差，只是输出电压稍低一点，可以适当提高电源电压来补偿。我准备放在250光藕后面试一试。

寿老师的帖子，我来迟了...

在单电源供电的栅驱电路里，图1用低Vgs(th)的MOS管做比较合适。如MOS管的Vgs(th)较高，用图2更合适些。

对于图2，无信号输入时必需要有固定的下拉或上拉电阻；一般情况下，在输入电压动太范围内，

要彻底避开上下N、P管的共通区域有时是较困难的（当用于供电电压低于上下管的Vgs(th)之和时，才能在理论上避开，这是图2电路的先天缺陷），

所以实用时还得串入适当的限流电阻，否则极易引起上下管“直通”而烧毁MOS管。图2电路的优势是能提供接近0V的关断栅压，这点图1是做不到的。

几天不见，这个帖子都盖到这里了，拜读了2位寿版的帖子，学习中。 不错！但是图2的电路是反向的，需要用反向的PWMIC或前面加一级反相器。

我也这 样认为 第一不错，我有个电路图，你看能用吗,我很想把它来做IBGT的驱动部分,并且还是用24V供电,拟补了丢失的问题

这个好像是瑞凌焊机上的图...

呵呵 好眼力

后面接的变压器没画出来，好象9Z24也画错脚位了吧？

瑞凌这款驱动看上去似乎设计得很“到位”，其实改善很有限的。

我是没试过，但这是曾经量产过的成熟的大功率工频逆变器驱动电路

为了做实验，特地烂了一块单面板。

实验一：

用AO4606做图腾柱，也就是照接法一的方法，把图腾放在TLP250的输出处，线路见下：

得到的空载波形如下图：

然后是在输出端，即GS二点之间挂负载，只挂了一个6800P的电容，相当于比RU190N08的结电容稍大一点。结果波形变成了下图：

实验二：用TIP41C 42C做图腾柱，线路如下图：

然后挂了四组负载，每组的电容为6800P，相当于4.5个RU190N08的结电容，在A,B,C,D点测到的波形如下图：

下图是上升时间和下降时间：

从上面的实验看，AO4606似乎不太适合如此用法，而用TIP41C 42C做图腾，其驱动能力很强，如果用在全桥工频机上，每一臂推4-5个RU190N08是没有问题的。

补充说明：在用TIP41C 42C做实验时，工作电压为20V。

寿老师真是认真执着！

TIP41C TIP42C我在100KHz全桥驱动里也曾用过，还量产过，在某些方面的确有其长处。

缺点是比较“吃”前级电流，功耗偏大与稍有点温升(50KHz以上时)。25KHz~30KHz内使用基本无可挑剔，带载力很强。

高手，看来可以结贴了，适合逆变上的50KHZ内的图腾用TIP41C TIP42C是最佳的。

晶版说得很对的，电流有点大，这样一路要60多MA，辅助电源的设计要适当放大点。

49楼张工过誉了。

说到驱动管，另一对曾热门普及过的D882、B772也值得一题，他们的电流输出能力虽不及41、42，

但速度上更胜一筹，波形比41、42要“好看”一些，温升、损耗也更低一些，当然管子必需选原装正品的，

在后级MOS管数量不是很多且频率较高（50KHz~100KHz）时，大多数情况下D882、B772比41、42表现得更好。

当然还有一些较冷门的高频（高fT）的中功率对管（如C2275、A985等等...），波形也很好，但已不容易买到了。

嗯，寿版说的是，D882，B772我一直在用，性能表现非常良好，我是用在DC-DC推挽部分的图腾，是采用SOT-89的贴片封装。

感谢晶版和师傅参与讨论。既然在做了，我就把前级的图腾的实验一并做了。

多数推挽式前级用3525做PWM控制，3525的输出峰值电流为500MA，在空载时速度很快，下图：

如果在3525的11P或14P接上二个103的电容，相当于三个RU190N08R 结电容，RG电阻为10R，则上升和下降时间变得很长，见下图：

这样的速度自然没有实用意义了，所以，在多数情况下，3525还是要用图腾扩大输出电流。我先用TIP41C+42C做图腾，下面是电路图：

负载电容为2X103，当RG=10R时，测得波形如下：

残余电压较高，有0.4V左右：

上升和下降时间为：

如果把RG电阻减小到5R，输出波形如下：

残余电压见下图：

RG为5R时的上升和下降时间：

寿老师您试一下改变 R2 47欧 的阻值（在用41、42时，5.1欧~22欧我都用过），对波形也有较大的帮助的。

这个驱动

NPMOS不会同时导通....

依然对mos图腾柱不死心，想了几天，画了上面这个电路；希望可以成功

Q1可以用npn三极管 但为了消除低压干扰 mos效果会更好些

请问各位师傅，这残余电压是如何产生的？ 残余电压有什么坏处？ 如何消除残余电压？

请问，我用D882，B772时，发热很厉害，结果B772给烧了，怎么回事啊？

都是高人们，我要多学习学习啊。

昨天用Multisim10仿真了上图，供电15V输出接11个682电容做负载，RG10欧 放电通过二极管 直测图腾柱输出上升时间50NS左右，下降时间80NS左右；测单个682上升和下降时间基本同上；当然从未用过仿真软件，不知道与实际电路会相差多少

图腾柱mos换用其他型号仿真时，上升时间一般都在200NS左右 下降时间100NS左右

试验很多 发现当选用图纸上的型号管子时 时间明显下降了很多

期待高手实际试验一下，我的示波器不在公司 没办法动手了

最好能实际试一下。

终于有时候试验一下，mos图腾柱管用的现有型号 电路基本算是成功的 但还有一点小问题需要解决

下面是用万能板焊的 手机拍的

下图 A点波形 3525 11 14脚输出占空比基本接近50%（由于好久没用这示波器了，忘了怎么设置显示占空比，所以屏幕上一直都是显示的0%）A B点输出波形占空比成了54%左右，可能是Q1 D882外围元件参数不合理

下面是mos图腾柱输出波形B点

接通12V电源 空载电流62.7MA 有点大 但元件没有发热现象

510欧电阻应该消耗了很多

A点关断波形 那个少角的位置 就是多出来的4%

B点波形上有两个小谐振干扰 如果把两个谐振干扰点 直切下去

波形正好接近50% 这样就和3525 输出波形一样了

由于相机不完全垂直示波器屏幕 所以画的红线会有误差

找到一个专驱BTS7960 是用于电机调速的 电压范围0.6~45V 电流43A 可惜最高频率只有25KHZ 但也基本符合高频要求了 就是价格太贵了 一个电路要两片 好几十元了

上贴的电路 还没有去调试 准备把D882 B极电阻1K换成500欧或在1K并电容 提高驱动能力

当把Q1B极电阻1K换成330欧 （此时没有并电容）输出波形没有改变 把RX换成50欧 输出波形依然没有改变 仍然是占空比超出50% 2~3个百分点 用示波器测11 14脚波形基本正常（高电平刚开通5US处有一凹波） 测Q1B极 占空比就变成和mos图腾柱输出波形一样了 显然问题就出在这里 于是在330欧上并0.47UF电容 图腾柱输出波形基本正常了

下为现在测试波形：

Q1 B极

Q1 C极波形

B点波形

占空比是符合要求了 但通过B点波形 可以看出 有一个凹陷的波 问题应该出在3525部分

上波形看 开通没有问题 关断却不够陡 我怀疑是Q1或是Nmos G极电阻10

准备把Q1换成mos管 但现在没有合适的小功率mos用

（此时空载电流85MA 但3525输出另一路 参数没有动 所以两路如果都改了 估计空载电流在百MA ）

如果把Q1换成mos管 Q2用复合管或用放大倍数大的8050 510欧取大些 空载电流应该可以控制在50MA左右

支持一下你

只是图错吧，试验时正确吗

Q1换成IRF540 再次测试

3525 11脚波形：

单格时基20US 上波形高电平5US处有一下陷

mos图腾柱输出波形：

上波形下陷处也是5US 判断应该是3525外围问题

通过把Q1换成mos管后 输出波形明显好了很多

注：以上波形RA为250欧时 测的，510欧时 mos输出关断波形不够陡峭

下步判断：断开11 14脚 单测

mos共通造成输出波形有下陷的可能性可以排除 因为测供电波形很正常

怀疑3525 5 6 7脚参数造成此现象

分享几款图腾对管

D44VH10_D45VH10

论论很精彩，学习了。谢谢共享！

今天把14脚断开（因为此脚接的仍然是三极管倒项）只让11脚工作 输出波形正常了 不再有下陷波，空载电流55MA；

mos图腾柱输出波形：

11 14脚输出波形：

通过波形看 原本以为开通可以 关断不够陡峭 也改了很多参数 都没有好转

后来才知道 属于示波器0度线 没有平行于水平屏幕刻度线 造成从左到右逐渐偏离水平线

所以我看到的波形 左边的开通关断都陡峭 而右边的开通可以 关断就不行的假象；

在mos图腾柱输出接12V50W灯泡做假负载，3525供电电压从12V 降为8V（输入电源线为60CM长 USB线内部用线）灯泡上波形依然完美 只是电压成了8V，灯泡红亮，元件没有发热现象除输入防反接二极管5408稍有点温度；

输出接10欧功率电阻做负载，3525供电电压降为11V左右

注：RX由50欧 换成20欧 输出波形混乱 但没有直通现象

通过上红线 可以看出波形与刻线不是平行的 后调整屏幕后 波形正常

由于本人的示波器为SS7802 不具体测试上升 下降沿时间的功能 测试只能截止到此

当然以上测试mos型号为现有元件搭接 建议图腾柱输出用IRF9Z34和IRFZ34 Q2用8050 估计效果会更好

老兄辛苦了，受益非浅啊。

ic内部是用第二种接法。

P在上N在下 驱动 受负载变化动态影响比较小 稳定性好些

http://wenku.baidu.com/view/1f2f307b1711cc7931b7163e.html

刚好看了下这个电路跟您的差不多一样，呵呵，问下大湿，此推挽电路的mos是否有Vgs(th)限制呢？用AO4606是否可以直接搭起来？这个mos貌似是最便宜N+P复合mos了。

另外由于mos的寄生二极管存在，Q2可否用mos管替代呢？

参考您的电路做了下仿真，不过我需要将输出反相，如下接的，请看看有没什么问题，谢谢：

要是可行当然好了

回88楼 感谢你的关注，如果你早发这个链接 估计我就不会走这么多弯路了 呵呵 真是误打误撞 才把电路搞稳定 由于设备和元件不全 无法更进一步的测试 总体来说 驱动能力超强 只要解决了Pmos和Nmos的共通问题 基本可以算成功一小步了

受益匪浅

共通问题应该是50Ω那个电阻的调试，阻值小了下管开通可能快点，但是可能会存在“半共通”问题，也就是上管没完全关闭，下管就开通了，但是不至于烧管那种。其实那个50欧姆的位置应该就是调节死区时间的吧，不知道我的理解对么？

图腾输出是啥？？具体是什么东西，就是为了让mos管有更大的推动能力吗？？ 学习了

老寿兄这样就可以了！