一种新的IGBT驱动保护电路
根据上述IGBT的驱动保护电路的要求，IGBT驱动保护电路如图1．图1中，T1、T2、T3、T4和T5是90系列的三极管，T1、T2、T3和T4采用9013，T5采用9012；T1、T4和T5构成IGBT驱动放大电路；R3、T1和T4构成IGBT导通驱动电路，其中R3为100Ω/1/8W；T5、R6、R11和DZ2构成IGBT截止保护电路，其中R6为1KΩ/1/8W，R9为330Ω/1/8W，DZ2为1W5V的稳压管．IC1选用高速光耦6N136，它的信号传输延迟小于75ns，特别适合于高频电路，其作用是实现控制电路与主电路的隔离；IC2采用555集成电路，它和R8、R9、R12、R13、R14、C3、T6、T7构成延时双稳电路，其中R8为1kΩ/1/8W，R9为2kΩ/1/8W，R12、R13、R14为1kΩ/1/8W， C3采用高精度的钽电容，为1u/50v，以提高定时精度；T3和R1组成降压保护电路，其中DZ3采用1W10V的稳压管，T6、T7为9013，R10为100Ω/1/8W；T2、R5、D2和C2构成缓降压保护电路，其中R5为100kΩ/1/8W， D2为1N4148， C2为1u/50V的电解电容；R1、R2、C1、R4、D1和DZ1组成状态识别电路，其中R1为100KΩ/1/8W，R2为50Ω/1/8W的金属膜电路，C1为1u/50v的电解电容，R4为100Ω/1/8w的金属膜电阻，D1为1N4148，DZ1为1W8.2V的稳压管．
3 电路工作原理3.1正常工作状态时工作原理
当控制电路送来低电平时，光耦IC1导通，T1导通．经过R3使T4导通，经由R7，向IGBT提供+15V的栅极驱动电压，IGBT快速导通．同时，C1通过R2充电，C1的端电压按指数规律上升，但此时，IGBT导通，IGBT的CE端的饱和压降下降，通过D1的钳位作用，C1的端电压不会超过DZ1的击穿电压，DZ1不导通，T3截止，降压电路不工作．同时T6截止，T7导通，C3的端电压为零电平，故555输出端3脚为低电平，T2截止，缓降压电路不工作．
当控制电路送来高电平时，光耦IC1关断，T1和T4截止，IGBT截止．此时，+15V经由R6和R11使T5导通，DZ2上的-5V电压施加于IGBT的GE端，使IGBT可靠关断．同时，由于C1的端电压为零，DZ1不导通，T6截止，T7导通，故IC2的3端输出仍为低电平，T2、T3都不导通．