Vishay公布2017年新“Super 12”明星产品
创新的元器件为各种应用提供行业领先的性能规格
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，公布 2017 年的“Super 12”明星产品。
每一年，Vishay 都会精选出 12 个采用新技术或改进技术，能够显著提高终端产品和系统性能的重要半导体和无源元器件。
Vishay 的“Super 12”精选产品彰显了公司在半导体和无源元件领域的领先实力，是 Vishay 广泛产品组合的集中体现。
2017 年 Super 12 产品如下： Vishay Siliconix SQJQ480E 80V N 沟道 TrenchFET® 功率 MOSFET - 这颗汽车级 MOSFET 采用厚度 1.9mm 的小尺寸 PowerPAK® 8x8L 封装，导通电阻低至 3mΩ，可减小传导损耗和功率损耗，提高效率，而且可以在+175℃高温下工作。
Vishay T59 系列 vPolyTanTM 多阳极聚合物表面贴装片式电容器 - T59 系列采用聚合物钽技术和 Vishay 的专利多阵列包装(MAP)，实现了业内最高的容值密度，同时保持 25mΩ的最佳 ESR。
电容器采用模塑 EE(7343-43)外形编码，单位体积效率比类似器件高 25%。
Vishay Semiconductors VCNL4035X01 接近和环境光传感器 - 全集成的 VCNL4035X01 在小尺寸表面贴装封装里组合了接近和环境光的光探测器、信号调理 IC、16 位 ADC，以及最多支持 3 个外置 IRED 的驱动，可用于便携式电子产品和智能家居中的手势识别、工业和汽车应用。
Vishay Dale WSLF2512 SMD Power Metal Strip®检流电阻 - WSLF2512 的额定功率达 6W，电阻芯的 TCR 低至±20ppm/℃，电阻值只有 0.0003Ω，外形尺寸为 2512，功率密度达到 192W/ 平方英寸(0.3W/mm2)，在高功率电路中能节省电路板空间。
Vishay Semiconductors VTVSxxASMF 系列 SMD TVS 保护二极管 - VTVSxxASMF 系列器件是业内首批实现 2%雪崩击穿电压容差 TVS，采用超薄 SMF 封装，可承受 400W、10/1000μs 的高浪涌，适用于便携式电子产品。
Vishay Dale IHLE-5A 系列超薄、大电流电感器 - 汽车级 IHLE-5A 系列器件的外形尺寸为 2525、3232 和 4040，采用能减小 EMI 的集成屏蔽，不需要使用分立的板级 Faraday 屏蔽，从而降低成本，节省电路板空间。
Vishay Siliconix SiC462 同步 microBUCK®稳压器 - SiC462 集成了高边和低边 MOSFET，在最高 1MHz 开关频率下能连续输出 6A 电流，可调的输出电压低至 0.8V，输入电压为 4.5V～60V。
Vishay MKP1847H 交流滤波膜电容器 - MKP1847H 经过精心设计，能保证在各种工作条件下都保持极为稳定的电容和 ESR 参数。
该电容器非常适合高湿环境，是业内首颗在额定电压下完成 1000 小时的苛刻的耐湿性测试(85℃，85%相对湿度)的器件。
Vishay Semiconductors 10A～30A FRED Pt® Ultrafast 整流器 - Vishay 的这款超快整流器采用 SMPD 封装，高度只有 1.7mm，与 TO-263 封装兼容。
这颗器件通过 AEC-Q101 认证，可用于汽车和工业应用，能在+175℃高温下工作，恢复时间只有 25ns。
Vishay Dale IHXL-2000VZ-5A 电感器 - IHXL-2000VZ-5A 是业内首颗通过 AEC-Q200 认证，在电感减小 20%情况下饱和电流达到 190A 的电感器。
器件的尺寸为 50.8mm x 50.8mm x 21.5mm，其 2000 外形尺寸是这类复合材料电感器中最大的。
Vishay Siliconix SiRA20DP 25V N 沟道 TrenchFET 功率 MOSFET - SiRA20DP 在 10V 下的导通电阻低至 0.58mΩ，可减少传导功率损耗，提高功率密度，其典型栅极电荷为 61nC，可实现高效的 DC/DC 转换。
Vishay DCRF 水冷功率绕线电阻 - DCRF 电阻的功率耗散高达 9000W，功率处理能力比相同尺寸采用自然冷却的电阻高 10 倍。
电阻采用小尺寸的模块化设计，高过载承受能力（2 倍标称功率下保持 60 秒）。